Crecimiento y caracterización de heteroestructuras laser InGaAsP/GaAs en la región de 0.8 um

dc.contributorMishournyi, Viatcheslav Andreevich
dc.contributorALFONSO LASTRAS MARTINEZ;1252
dc.creatorGRISELDA RODRIGUEZ PEDROZA;CA1240524
dc.creatorRodríguez Pedroza, Griselda
dc.date2014-08-04T15:48:52Z
dc.date2014-08-04T15:48:52Z
dc.date1996-03
dc.date1996
dc.date.accessioned2023-07-17T20:33:45Z
dc.date.available2023-07-17T20:33:45Z
dc.identifierMaestría en Ingeniería Eléctrica
dc.identifierhttps://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/2435
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7517948
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad de Ingeniería
dc.relationInvestigadores
dc.relationEstudiantes
dc.relationversión publicada
dc.relationREPOSITORIO NACIONAL CONACYT
dc.rightsAcceso abierto
dc.rightsAcceso abierto
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject7 INGENIERIA Y TECNOLOGIA
dc.titleCrecimiento y caracterización de heteroestructuras laser InGaAsP/GaAs en la región de 0.8 um
dc.typeTesis de Maestria


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