Síntesis de Nano-alambres de GaN Vía MOCVD

Abstract

En el presente trabajo de investigación fue propuesta la síntesis de nano-alambres de Nitruro de Galio, el cual es un semiconductor que ha tomado mucha importan-cia en los años recientes debido a sus propiedades que le permiten ser utilizado en aplicaciones de alto rendimiento, por ejemplo en la fabricación de transistores como MESFET´s y HEMT´s. Fue utilizado el método de fabricación MOCVD, el cual tiene varias ventajas entre las cuales se destaca la utilización de precursores metálicos de baja temperatura de descomposición.

In this research work has been proposed the synthesis of Gallium Nitride Nan-owires, which is a semiconductor that has gained much importance in recent years due to its properties that allow it to be used in high performance applications, for example in the manufacture of MESFET´s y HEMT´s. The MOCVD fabrication method has been used, which has several advantages as the use of low-temperature decomposition metal precursors.