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Tesis de maestría
Influencia de la razón R[SIH2CL2/NH3] en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD
Fecha
2008
Registro en:
https://ru.dgb.unam.mx/handle/DGB_UNAM/TES01000633519
https://tesiunam.dgb.unam.mx/F?func=direct¤t_base=TES01&doc_number=000633519
001-00347-S2-2008
https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6819941
Autor
Santiago Cruz, Félix
Institución
Universidad Nacional Autónoma de México
Materias
Nanoestructuras
Análisis
Fotoluminiscencia
Nitruro de silicio
Razón
Mostrar el registro completo del ítem
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Fecha
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