En este trabajo se presenta la preparacién de peliculas delgadas uniformes de diamante policristalino sobre sustratos de silicio lisos (tipo espejo) con la ayuda de intercapas de TiN. Primero, intercapas de nitruro de titanio de diferentes grosores, se depositaron sobre sustratos de silicio cristalino con una superficie tipo espejo. Las.intercapas de TiN se depositaron por el método de Depdsito por Vapores Fisicos asistido por la técnica de pulverizado reactivo por plasma de corriente directa con magnetrén (magnetron direct current reactive sputtering assisted PVD). Luego, peliculas delgadas de diamante se crecieron por el método de Depésito por Vapores Quimicosasistido por filamento caliente. Las observaciones efectuadas con la microscopia electronica de barrido, mostraron un notable incremento en el tamafio de las particulas de diamante sobre los sustratos con intercapas de TiN, en comparaci6n con los sustratos de silicio rayados por el proceso de abrasion. Las peliculas delgadas de diamante se caracterizaron por, microscopia electronica de transmisi6n (TEM), espectrocopias de pérdidas de energia de electrones y dispersién de energia de rayos X. Se observ6 una fase intermedia con ~0.8 nm de grosor, entre las particulas de diamante y la capa de TiN. De las mediciones obtenidas por la espectroscopia de dispersién de energia, se deduce que la fase intermedia es un compuesto de nitruro de carbono. No se observa ninguna evidencia de degradacion de las capas de TiN para grosores menores que 0.5mIn this investigation we present the preparation of polycrystalline diamondthin films on smoothsilicon substrates with the help of a TiN buffer layer. Titanium nitride layers of different thickness were deposited, first, on crystalline silicon substrates with mirror finish. The TiN layers were placed by physical vapor deposition (PVD)assisted by direct current reactive magnetron sputtering. Later, diamond thin films were grown by hotfilament CVD. Scanning electron microscopy observations show a notable increase in the size of diamond particles on the substrates with the TiN buffer layer, as opposedto the plain, only scratchedsilicon substrates.The diamond films were characterized by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), electron energy loss and energy dispersive spectroscopies. A buffer layer ~0.8 nm thick is observed between the diamond particles and the TiN layer. EDSexperiments reveal a carbon nitride compoundatthe interphase. There is no evidence of degradation (cracking, delamination, etc.) of the TiN layers for thickness below 0.5 [im.