Recientemente ha sido desarrollado un formalismo para estudiar procesos de tunéelaje resonante en una dimensién. El fFenédmeno del tunelaje resonante cobra importancia actual ya que es el mecanismo dominante de transporte electrénico en heteroestructuras semiconductoras de escalas nanométricas. Este formalismo resulta de explotar las propiedades analiticas del propagador del sistema o funcién de Green y queda expresado en términos de estados resonantes que son soluciones de la ecuaci6n de Schrédinger cuyos eigenvalores son los poles del propagador. Esta teoria proporciona unm métodc para calcular en forma exacta las anchuras parciales de decaimiento, que son cantidades relevantes en relacién al transporte. Asimismo del formalismo se extrae un desarrollo en estados resonantes para la funcién de Green que permite obtener formulas aproximadas para el coeficiente de transmisié6n explicitamente en funciédn de los anchos parciales de decaimiento. Esto se logra seleccionando los términos del desarrollo que permitan describir satisfactoriamente las resonancias del sistema. En este trabjo se obtienen expresiones para él coeéficiente de transmisi6én y la corriente de tunelaje para los perfiles de potencial de doble y de triple barrera. Se analizan sistemas cuyas resonancias pueden ser delgadas y aisladas asi como situaciones donde éstas presentan una interferencia significativa Ctraslape>. Aplicamos el formalismo a el estudio sistemAtico de los potenciales mencionados. Se calculan transmisié6n y curvas teéricas de corriente sobre un amplio rango de parametros de interés experimental. Hacemos énfasis en la discusién de las situaciones de traslape.