La presente investigación trata sobre las relaciones existentes entre la teoría de la relatividad especial y el microprocesador, con el objetivo general de describir los marcos de referencia necesarios para estudiar el efecto relativista asociado al tiempo del microprocesador. Durante el desarrollo de la temática se aborda con especial énfasis el tema de la conductividad en los sitemas iónicos cristalinos y su relación con la velocidad de generación propia de los semiconductores como el silicio. Se plantean las implicaciones de una velocidad de generación cercada a la velocidad de la luz (c) en el interior del material semiconductor y como se relaciona esto con la ley de acción de masas.