Estudio de la respuesta óptica de películas de GainAsSb sometidas a ataque químico

Abstract

La técnica de epitaxia en fase líquida es un método de fabricación de semiconductores de gran potencialidad para la creación de dispositivos que requieran áreas considerables, como en el caso de los fotodetectores. Además, permite la fabricación de materiales formados por más de dos elementos, como es el caso particular del GaInAsSb, semiconductor cuaternario estudiado en este trabajo. Esta técnica de fabricación de películas epitaxiales presenta, por su modo de crecimiento, una variación en la relación estequiométrica a lo largo de la dirección de crecimiento, pues la solución precursora va cambiando sus fracciones molares a medida que se va formando la fase sólida del material cuaternario. Por esta razón, en este trabajo realizamos un estudio de la respuesta espectral en profundidad, mediante sucesivos decapados de la película, con el fin de determinar la homogeneidad de las películas en la dirección perpendicular al sustrato, o dirección de crecimiento. La caracterización óptica se realizó por fotoluminiscencia, observándose notables variaciones en la respuesta espectral al eliminar las capas superiores de las películas. Para el decapado de la superficie se llevó a cabo un estudio de los procesos químicos y mecánicos de remoción de capas superficiales, encontrándose la concentración adecuada para una solución de bromo y metanol que permite controlar el proceso. La razón de decapado se obtuvo a través de perfilometría.