Trabajo de grado - Maestría
Estudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEM
Fecha
2018-06-15Autor
Rodriguez Ballesteros, Ismael Fernando
Institución
Resumen
En las últimas décadas el estudio de los materiales de bajas dimensiones muestra una amplia gama de aplicaciones en distintos campos. En la actualidad, la investigación de las nuevas propiedades de los materiales semiconductores mediante la creación de capas porosas en dichos semiconductores brinda la posibilidad de nuevas aplicaciones en la electrónica y la opto-electrónica como en otros campos de la tecnología como lo son sensores, celdas de combustible, baterías de larga duración, aplicaciones médicas, etc. En este trabajo se fabricaron películas delgadas porosas de GaSb por el método de anodizado electroquímico utilizando ácido clorhídrico (HCl). Se realizó ataque electroquímico a películas con diferentes parámetros de síntesis (tiempos de depósitos y temperatura de recocido) fabricadas sobre sustratos de vidrio. Se variaron tiempos de ataque electroquímico y voltajes aplicados para correlacionar los resultados. Posterior a ello se realizaron estudios morfológicos utilizando las técnicas de microcopía de barrido electrónico (SEM, por sus siglas en ingles) y microscopía de fuerza atómica (AFM). Por último, se analiza la correlación entre los parámetros de síntesis y la morfología de la superficie del material. Abstract: In the last decades, the study of materials of low dimensions shows a wide range of applications in different fields. Currently, the investigation of the new properties of semiconducting materials through the creation of porous layers in these semiconductors offers the possibility of new applications in electronics and opto-electronics, as in other fields of technology such as sensors, fuel cells, long-life batteries, medical applications, etc. In this work, porous thin films of GaSb were made by electrochemical anodizing method using clorhydric acid (HCl). Electrochemical attack was performed on films with different synthesis parameters (deposit times and annealing temperature) made on glass substrates. Electrochemical attack times and applied voltages were varied to correlate the results. Subsequent to this, morphological studies were carried out using scanning electronic microcopy (SEM) techniques and atomic force microscopy (AFM). Finally, the correlation between the synthesis parameters and the morphology of the material surface were analyzed.