Effective electronic masses in wurtzite and zinc-blende GaN and AlN

Artigo de Peri??dico

Fecha

2001

Registro en:

0022-0248

http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/7669

v. 231, n. 3

http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/2702626

Autor

Persson, C.

Silva, A. Ferreira da

Ahuja, Rajeev

Johansson, B.

Institución

Universidade Federal da Bahia (Brasil)

Resumen

Materias

A1. Computer simulation

A1. Crystal structure

B2. Semiconducting III???V materials

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