En el presente trabajo se describe un método para el diseño y construcción de la etapa de potencia de amplificadores de microondas. Estos amplificadores utilizan transistores tanto de efecto de cmapo fabricados con Arseniuro de Galio (GaAsFET) como bipolares. Dichos dispositibbos presentan respectivamente, caracterisiticas de bajo ruido y potencia lineal. Los cicuitos de acoplammiento se realizan con componentes distribuidos -llamados microtiras, los cuales son ampliamente utilizados a frecuencuas en el rango de microondas. Para el diseño del amplificador se relizo un programa de computadora que tiene la capacidad de diseñar amplificadores de ‘N’ etapas. Dicho programa entrega comoresultado final las dimensiones de las microtiras, las cuales constituyen los circuitos de acoplamiento de entrada y salida de cada etapa. La tecnica de diseño utilizada se comprueba con la construcción de un amplificador de 4 etapas, el cual muestra que sus resultados cumplen satisfactoriamente con lo especificado.