El Mn5Ge3 es un compuesto con estructura cristalina hexagonal y ferromagnético con una temperatura de Curie de 294 K. La facilidad de crecerlo de manera epitaxial sobre Ge(111) lo convierten en un candidato ideal para efectuar de manera eficiente la inyección de espín en un semiconductor, lo cual es pieza clave para la elaboración de dispositivos espintrónicos, como los transistores SPIN-FET. En el presente trabajo se muestra la metodología de síntesis y la caracterización estructural y magnética del compuesto Mn5Ge3 crecido en forma de películas delgadas sobre sustratos de Ge(001) utilizando la técnica de sputtering. El reto a superar es la discrepancia entre la superficie con simetría cuadrada del sustrato Ge(001) y la estructura hexagonal del compuesto. El depósito del material se llevó a cabo mediante co-depósito de Mn y Ge a potencias adecuadas para obtener la estequiometría deseada en un rango de temperatura entre 380 - 460 °C. La técnica de microscopia electrónica permitió la obtención de imágenes en alta resolución (HRTEM) y patrones de difracción (SAED) que fueron de utilidad para determinar que el Mn5Ge3 crece sobre el Ge(001) en tres relaciones epitaxiales: Mn5Ge3 (5-54) [2-25] // Ge (001) [110], Mn5Ge3 (12-2) [2-10] // Ge (001) [-110] y Mn5Ge3 (001) [100] // Ge (001) [110]; las imágenes en alta resolución revelaron una interface relativamente abrupta entre la película y el sustrato permitiendo un crecimiento cristalino de calidad; sin embargo no se observaron dislocaciones. El material es sometido a esfuerzos de compresión y de tensión para poder adaptarse a la simetría del sustrato. Suponemos que las diferentes orientaciones de los granos de Mn5Ge3 es un mecanismo para liberar las tensiones inducidas por el sustrato. La caracterización magnética de las muestras consiste en lazos M(H) a temperatura ambiente con el campo aplicado paralelo y perpendicular a la superficie, con una magnetización de 40 emu/cm3 lo que corresponde a un momento magnético de 0.19 µB/at de Mn a 300 K. Los lazos anhisteréticos muestran que el eje de fácil magnetización se encuentra fuera del plano. Además cualquier variación en la composición de las películas produce una reducción en la temperatura de Curie.