En este trabajo de tesis se realizó un estudio comparativo de la formación de estructuras piramidales sobre superficies de silicio cristalino (c-Si) utilizando procesos de texturizado húmedo y seco. Hemos estudiado los efectos de los parámetros en el proceso de texturizado húmedo como el tiempo, temperatura y disolución de KOH y NaOH en alcohol isopropanol (IPA). Así como también se estudió sistemáticamente el proceso de texturizado seco usando plasmas de SF6/O2 y SF6/O2/CH4 con el sistema de grabado por iones reactivos (RIE). Así mismo, se estudió el efecto de la potencia RF, presión, flujo de gases y tiempo de texturizado. La morfología de las superficies texturizadas se caracterizó utilizando un microscopio electrónico de barrido, mientras que un microscopio de fuerza atómica se utilizó para obtener la rugosidad cuadrática promedio en la superficie de los sustratos texturizados. Igualmente se estudió la reducción en la reflectancia en la superficie de los sustratos texturizados utilizando un espectrofotómetro. Se optimizó el proceso de texturizado por plasma y se logró obtener resultados similares a los que se obtuvieron con el texturizado húmedo, con lo cual se sugiere el proceso seco como alternativa para la texturización de superficies de silicio y su aplicación a dispositivos fotovoltaicos.