Tesis
Fabricación y caracterización de detectores de radiación UV basados en silicio
Autor
CESAR MANUEL CALLEJA GOMEZ
Institución
Resumen
Detectores de radiación UV se han fabricado en una amplia variedad de
estructuras y sobre varios materiales. Siendo el silicio (Si) el material que en
la actualidad es el más utilizado en la fabricación de circuitos integrados, se
hace necesario que la fabricación de dispositivos detectores de radiación UV
sea de manera monolítica en el sustrato de silicio, reduciendo costos, donde
además, se busca la compatibilidad con el proceso de fabricación del
transistor CMOS.
La absorción de fotones en el rango de la radiación UV en el silicio, es tan
alta que esta ocurre muy cerca de la superficie, debido a esto un contacto
superficial del tipo metal-semiconductor-metal se puede aprovechar para
hacer una rápida y eficiente colección de los portadores de carga
fotogenerados, pero también la reflexión es alta a estas longitudes de onda
por lo que se tiene que utilizar capas antirreflectoras.
En este trabajo, se revisa la teoría de los contactos metal-semiconductor, las
características generales de los detectores de fotones basados en silicio y
las técnicas utilizadas para mejorar la eficiencia de detección. Se fabrican
dispositivos detectores de radiación UV basados en contactos metal semiconductor
sobre silicio y se realizan mediciones I-V para determinar las
características de estos. Se realiza el depósito de óxido de estaño que es un
oxido conductor transparente, que puede ser utilizado como electrodos
transparentes, buscando de este material buenas características ópticas y
conductivas.
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