Tesis
Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas
Registro en:
Autor
Weinketz, Sieghard
Institución
Resumen
Orientador: Francisco Carlos de Prince Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm.
Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico Abstract: Not informed. Mestrado Física Mestre em Física