Refere-se a presente invenção a uma cavidade externa para laser semicondutor, com alta tolerância ao desalinhamento, obtida pela introdução de uma superfície polida e refletora, no mesmo plano que e face emissora do laser. A cavidade externa é constituída de uma fonte (1) de laser semicondutor, com ou sem camada anti-refletora, soldada a um bloco suporte (2), com sua face emissora (3) no mesmo plano que a face polida e refletora (4) do bloco (2), de uma lente objetiva (5), posicionada com o seu plano focal coincidente com a face polida (4) e com seu eixo (6) não coincidente com a face emissora (3) e uma grade de difração (7), posicionada com suas ranhuras paralelas ao plano formado pela face emissora (3) e ao eixo (6), a uma distância "L” da lente, que define o tamanho da cavidade, juntamente com a distância focal "f” da lente.BR8806972 (A)H01S3/139H01S3/139 BR19888806972H01S3/139H01S3/139