Las propiedades ópticas y electrónicas de la superficie InAs(110) se estudiaron usando el modelo de enlace fuerte y una base extendida tipo atómica. Se discute el carácter de los estados electrónicos asociados a la superficie y se comparan los resultados con otras aproximaciones teóricas y medidas experimentales. Se calculan las propiedades ópticas de la superficie y se analizan en términos del espectro de Reflectancia Anisoptropica y de los estados electrónicos de superficie y de la estructura atómica.The electronic and optical properties of the cleavage InAs(110) surface are studied using a semi-empirical tight-binding method which employs an extended, atomic-like, basis set. The surface electronic states are discussed in terms of their electronic character, and compared with other theoretical approaches, and experimental observations. The surface electronic band structure and the Reflectance Anisotropy Spectrum (RAS) are calculated and discussed in terms of the surface electronic states and the atomic structure of the surface.