Artículos de revistas
Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V
Autor
González-Rolón, Bárbara; Facultad de Ingeniería Mecánica Eeléctrica y Electrónica
Universidad de Guanajuato
Campus Salamanca, Gto., México
Ireta-Moreno, Fernando; Facultad de Ingeniería Mecánica Eléctrica y Electrónica
Universidad de Guanajuato
Campus Salamanca, Gto., México
Institución
Resumen
El proceso de fabricación para varistores de media tensión de 13 000 V a 34 000 V de ZnO consistió en dopar con Sb2O3, Bi2O3 y optimizarlos en términos de la composición de inicio, con una relación de Sb2O3/Bi2O3 de 1.7, y el uso de aditivos para cerámicas, la temperatura de sinterizado fue de 1150ºC ± 2ºC. Se investigó la homogeneidad de la microestructura. Se determinaron las propiedades eléctricas mediante la determinación de la gráfica I-V. Las características eléctricas son discutidas.