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Mostrando ítems 261-270 de 493
Characterization of interface abruptness and material properties in catalytically grown III-V nanowires: exploiting plasmon chemical shift
(Iop Publishing LtdBristolInglaterra, 2010)
The effect of Mn2Sb2 and Mn2Sb secondary phases on magnetism in (GaMn)Sb thin films
In this work, a detailed study of structural, electrical and magnetic characterization of (GaMn)Sb diluted magnetic semiconductors (DMS) is presented. (GaMn)Sb thin films were grown by DC magnetron co-sputtering method as ...
Nanocompósitos de óxidos de ferro e pontos de carbono e suas aplicações em processos oxidativos avançados
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2019-02-28)
Photocatalysis reaction are promoted by the UV/Vis irradiation and catalyzed by semiconductors that undergo excitation of an electron from the valence band to the conduction band. The pair of electron (excited in the ...
Transport phenomena in quasi-one-dimensional heterostructures
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2014-02-21)
O crescimento e caracterização de sistemas de heteroestruturas semicondutoras quasi-unidimensionais têm atraído grande interesse devido à sua potencial de aplicação tecnológica, como foto-detectores, dispositivos ...
Heterostructure formation of BiVO4 with different Bi compounds : role of the heterojunction on photocatalytic properties
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Química - PPGQCâmpus São Carlos, 2016-08-29)
Semiconductors employed as photocatalysts that can be activated by
visible irradiation have attracted intense scientific interest due to their applications in
heterogeneous photocatalysis. BiVO4 is a semiconductor with ...
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2011)
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor ...
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2011)
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor ...