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Mostrando ítems 21-30 de 1792
Strain redistribution at the phase transition of MnAs/GaAs(001) films
(Amer Inst PhysicsMelvilleEUA, 2006)
EFFECT OF TEMPERATURE ON THE BUILT-IN ELECTRIC-FIELD IN GAAS/GAALAS - SI HETEROSTRUCTURES
(Academic Press LtdLondonInglaterra, 1991)
Optical properties of transition metal dichalcogenides on GaAs
(Universidade Federal de Minas GeraisBrasilICX - DEPARTAMENTO DE FÍSICAPrograma de Pós-Graduação em FísicaUFMG, 2018-09-11)
Os Dicalcogenetos de Metais de Transição (TMDs) são estruturas cristalinas da forma
MX2, onde M é um metal de transição, como Mo ou W, e X é um calcogênio, como S ou Se.
Eles são estruturas compostas por multicamadas ...
Oscilações espontâneas de corrente elétrica e rotas para o caos em GaAs semi isolante
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2006-06-01)
Electric force microscopy techniques on GaAs mesoscopic structures
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2018-03-29)
As técnicas de microscopia de sonda Kelvin (KPFM) e de microscopia de força eletrostática (EFM) são amplamente utilizadas para analisar a distribuição do potencial de superfície, porém com pouca aplicação em nanoestruturas ...
Nucleation and growth evolution of InP dots on InGaP/GaAs
(Iop Publishing LtdBristolInglaterra, 2010)
Investigação das propriedades ópticas, morfológicas e elétricas da heterojunção SnO2: Ce3+/ GaAs
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2016)
Elastic and magnetic properties of epitaxial MnAs layers on GaAs
(American Physical SocCollege PkEUA, 2002)
Epitaxial pulsed laser crystallization of amorphous germanium on GaAs
(Amer Inst PhysicsMelvilleEUA, 2001)
Dependence on the atmosphere of preparation of the luminescence of spark processed porous GaAs
(2012-12-17)
We report on the preparation of photoluminescent porous GaAs by the application of high voltage
spark discharges in atmospheres of pure oxygen, pure nitrogen, and in mixed N2:O2 ratios of 4:1
and 1:4. The spark-processed ...