Buscar
Mostrando ítems 1-10 de 33
Estudo teórico e experimental de transistores de múltiplas portas fabricados em estruturas de nanofios
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2018)
The technological advancement of semiconductor devices is based on increasing their scalability over the years, ensuring greater performance of electronic circuits and better utilization of the occupied area by integrated ...
Avaliação do desempenho do transistor MOS sem junções configurado como Nanofio ou FINFET
(2020)
Esse trabalho estuda como as diferentes configurações de porta dos transistores MOS sem junções afetam suas características elétricas. Foram realizadas medidas em amostras experimentais com transistores MOS sem junções ...
Avaliação da distorção harmônica de nanofios transistores empilhados
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Este trabalho estuda as características não lineares dos transistores nanofios empilhados,
implementados em tecnologia SOI (silicon-on-insulator), operando como amplificadores
operacionais de um único transistor. São ...
Avaliação da distorção harmônica de nanofios transistores empilhados
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Este trabalho estuda as características não lineares dos transistores nanofios empilhados,
implementados em tecnologia SOI (silicon-on-insulator), operando como amplificadores
operacionais de um único transistor. São ...
Nanofios de óxido de zinco e nanofitas de grafeno: fabricação, estrutura e propriedades de transporte opto-eletrônico
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2010-05-07)
Nanomaterials such as zinc oxide nanostructures and graphene are among the most fascinating materials for device and electronic applications. Zinc oxide has proven to be an interesting material forindustrial application ...
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Influência do potencial de substrato sobre o ruído de baixa frequência de nanofios transistores MOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2022)
Aplicação do método SPLIT-CV para obtenção da mobilidade em nanofios transistores MOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2022)
Este trabalho tem por objetivo analisar a mobilidade dos nanofios transistores MOS, com diferentes larguras de aleta de Si que foi extraído usando a técnica de SPLIT-CV. Para realização deste trabalho de dissertação, foram ...
Síntese de nanofios de Óxido de Cobre (CuO) e fabricação de nanodispositivos
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2008-03-06)
In this dissertation we are interested on the fabrication of electronic devices based on quasi one-dimensional nanostructures. To achieve such goal, we initially performed a study on the growth of copper oxide (CuO) nanowires ...