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Estudo Teórico de Defeitos Intrínsecos em Nanofios de Telureto de Estanho
(Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR, 2018)
Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2013-04-11)
In this work, we studied the influence of surface charges on the properties (especially electronic transport) of semiconductor nanowires and nanobelts via computer simulations and also they were compared to experimental ...
Propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores de Fosfeto de Zinco (Zn3P2)
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2018-04-20)
Zinc phosphide Zn3P2 nanowires with excellent crystalline quality were grown using the Vapor-Liquid-Solid (VLS) method with gold nanoparticles as catalysts. Single nanowire based devices were fabricated with ohmic nickel ...
Estudo de efeitos quânticos nas propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2010-03-02)
The growth and characterization of semiconductor nanowires systems have attracted increasing interest due to their potential technological application, like, photo-detectors, optoelectronic devices and their promising ...
Crescimento de nanofios semicondutores de óxido de zinco por deposição química na fase vapor
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2006-03-20)
Nanofios de óxido de zinco e nanofitas de grafeno: fabricação, estrutura e propriedades de transporte opto-eletrônico
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2010-05-07)
Nanomaterials such as zinc oxide nanostructures and graphene are among the most fascinating materials for device and electronic applications. Zinc oxide has proven to be an interesting material forindustrial application ...
Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2008-08-13)
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Crescimento de nanofios semicondutores de GaP/GaInP pelo método MOCVDCrescimento de nanofios de GaInP e GaP/GaInP por MOCVD
(Universidade Federal de PernambucoUFPEBrasilPrograma de Pos Graduacao em Quimica, 2019)