Mostrando ítems 1-10 de 229
Electric force microscopy techniques on GaAs mesoscopic structures
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2018-03-29)
As técnicas de microscopia de sonda Kelvin (KPFM) e de microscopia de força eletrostática (EFM) são amplamente utilizadas para analisar a distribuição do potencial de superfície, porém com pouca aplicação em nanoestruturas ...
Investigação das propriedades ópticas, morfológicas e elétricas da heterojunção SnO2: Ce3+/ GaAs
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2016-03-03)
Este trabalho apresenta o desenvolvimento e algumas conclusões do estudo da heterojunção de filmes finos de SnO2 e GaAs. Os filmes de SnO2, dopados com Ce3+, foram depositados a partir do método sol-gel usando as técnicas ...
Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs e 'Al IND. 2''O IND. 3' para potencial utilizado em transistores
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2009-08-24)
Neste trabalho foi realizada a deposição através da técnica de evaporação resistiva, de filmes finos de GaAs (arseneto de gálio) e de Al (alumínio) com posterior oxidação deste último, formando 'Al IND. 2''O IND. 3' (óxido ...
Matrizes semicondutoras GaAs e Sn'X IND. 2' dopado com terras-raras Ce ou Eu: investigação do transporte elétrico
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2009-07-06)
Dióxido de estanho (Sn'X IND. 2') é um semicondutor de bandgap largo com condutividade do tipo-n na forma não dopada, sendo aplicado em dispositivos diversos. Neste trabalho, filmes finos e géis secos de Sn'X IND. 2' dopados ...
Efeitos de localização de portadores em poços quânticos de GaBiAs/GaAs
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2015-08-04)
In order to investigate optical and spin properties of GaBiAs / GaAs quantum
wells, we performed both photoluminescence and magneto-photoluminescence
spectroscopy measurements in three samples: 10 nm quantum wells with ...
Avaliação da técnica de evaporação resistiva para a deposição de filmes finos de GaAs e compostos de GaAs com óxidos e cloretos de Er ou Yb
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2008-08-19)
Neste trabalho é feita a deposição de filmes finos pela técnica de Evaporação Resistiva a partir de pós de Arseneto de Gálio (GaAs) e compostos de GaAs com Óxidos e Cloretos de Érbio (Er) ou Itérbio (Yb). Trata-se de um ...