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Mostrando ítems 1-10 de 32

Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman.

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti ([s.n.], 1989)

Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares

Jose Luis Gonzalez Arango (Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2008-08-13)

S

Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com MnSpin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers

González Balanta, Miguel Ángel, 1985- ([s.n.], 2010)

Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Sato, Julio Noboru ([s.n.], 1996)

Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Badan, Tomás Antônio Costa ([s.n.], 1996)

Projeto de um amplificador de transimpedancia monolitico implementado em GaAs com CAG para recepção em comunicações opticas

Corso, Valentino ([s.n.], 1998)

Desenvolvimento de receptor optico integrado em tecnologia HBTDevelopment of integrated optic receiver in HBT technology

Goes, Marcos Augusto de ([s.n.], 2005)

Espalhamento intervales na liga Al0.48Ga0.52As

Andrade, Leandro Hostalácio Freire de ([s.n.], 1992)

Sensor Hall de GaAs por implantação de ions

Maricato, Efeso Francisco de Melo ([s.n.], 2000)

Projeto de fabricação de HBTs

Redolfi, Augusto Cesar ([s.n.], 1999)

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